工艺流程
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①原料外观检查
对进厂原料初次检验,挑选出非料杂质,并对原料进行大致分类
②型号分类
对原料进行型号检测。
③电阻率分档
对原料的电阻进行测量,讲测量后的原料进行阻值分类。
④原料清洗
将原料放入氢氟酸和硝酸混合液中浸泡,除去原料表面的杂质氧化物等,然后用水冲洗干净。
⑤烘干
将清洗干净的原料放入烘箱中烘干。
⑥原料封装、入成品库
烘干后的原料按原料、电阻率分别包装。
⑦配料
根据生产需求,将不同电阻率的原料加入适当的母合金配置成符合生产需求的原料。

①硅料熔化
将和众原料装入到石英坩埚内,进行抽空检漏,然后在氩气的保护下升温将硅料熔化
②硅料稳定
全熔的硅料在高温保持少许时间,然后适当的降温一段时间,进行稳定。
③缩颈/引晶
将籽晶讲到接触页面,调节使其熔接好,调节温度开始缩颈,通过合理的缩颈和增加籽晶长度排除位错,生产目标直径单晶。
④等径生长
通过控制提拉速度和熔体的温度,使无位错的小晶体长大,到目标直径后通过改变提拉速度的方法收肩,让无位错晶体等径生长。
⑤收尾
等到单晶生长到适当的时候,为了避免位错反延,适当的改变提拉速度和温度使直径慢慢辨析而脱离页面,使单晶完整无错位。
⑥退火

关闭加热电源,适当的提升晶体完成退火。

①切方磨圆
将硅单晶圆棒按尺寸要求,切割成硅单晶准方棒,并将切割后的准方棒四角,用滚磨机磨圆。
②酸洗
将检测合格的硅单晶准方棒放入配好的酸液中,出去表面杂质,使其情节便于下道工序。
③粘胶
将清洁干净的硅单晶准方棒与工件板进行粘接。
④切片
将粘好的硅单晶准方棒安装在切片机的切割工位上,通过设定好的工艺参数,将其切割成片。
⑤清洗脱胶
将切割后的硅片进行预清洗,除去表面附着的切削液等杂质,并将预清洗后的硅片进行脱胶。
⑥超声波清洗
将脱过的硅片插在硅片盒里并放入超声波清洗机中进行清洗。
⑦甩干
将超声波清洗后的硅片连盒插在甩干机的甩干工位上,通过离心和加热将其表面甩干。
⑧检片包装
对硅片进行检测。主要包括外观、厚度、电阻率、TTV与翘曲度等,并将检测后的硅片按等级和发货类型进行分类并包装
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